IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ44NPBF بواسطة Infineon و IRF530NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFZ44NPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 60 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 17.5 mOhm | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 94 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 62 C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| العلبة | TO-220AB (3-pin + tab) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| العلبة / الحالة | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| مستوى MSL | — | N/A (through-hole) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |