IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFZ44NPBF द्वारा Infineon और IRF530NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFZ44NPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 60 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 17.5 mOhm | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 94 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 62 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | TO-220AB (3-pin + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| पैकेज / केस | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL स्तर | — | N/A (through-hole) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |