IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFZ44NPBF bằng Infineon và IRF530NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFZ44NPBF IRF530NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55 C to +175 C
Hộp TO-220AB (3-pin + tab) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Kiểu transitor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Hộp / Vỏ — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Cấp MSL — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá