IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ44NPBF tarafından Infineon ve IRF530NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ44NPBF IRF530NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55 C to +175 C
Paket TO-220AB (3-pin + tab) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Transistor Türü — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
MSL Seviyesi — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin