ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ173N15NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISZ072N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ173N15NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| العلبة | PG-TSDSON-8 FL | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| مستوى MSL | — | 1 |