ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ173N15NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ173N15NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| MSL स्तर | — | 1 |