K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $9.02 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 2G x 4 | 2G x 4 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| الميزات | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| الواجهة | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |