K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G045WB-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $9.02 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
سازمان 2G x 4 2G x 4
نرخ داده 2133 Mbps/pin (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
بسته‌بندی 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) —
دمای کاری 0C to +85C 0 C to 85 C
Max Supply Current 211.7 mA —
ویژگی‌ها Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
رابط — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت