K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G045WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G045WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $9,02 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Tổ chức 2G x 4 2G x 4
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps/pin (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0 C to 85 C
Max Supply Current 211.7 mA —
Tính năng Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Giao diện — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá