K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G045WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung
K4A8G045WB-BCPB ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $9.02 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 2G x 4 | 2G x 4 |
| डेटा दर | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| विशेषताएँ | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| इंटरफ़ेस | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |