K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G045WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $9.02 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 2G x 4 | 2G x 4 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| תכונות | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| ממשק | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |