K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 4 | — |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | -40C to +95C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| الواجهة | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |