K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G045WB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G045WB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 2G x 4 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 C to +85 C | -40C to +95C |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| انٹرفیس | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |