K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 2G x 4 | — |
| קצב נתונים | 2133 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | -40C to +95C |
| מארז | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| ממשק | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |