K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G045WB توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G045WB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 2G x 4 | — |
| نرخ داده | 2133 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | -40C to +95C |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| رابط | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |