K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G045WB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G045WB K4A8G165WB-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
সংগঠন 2G x 4 —
ডেটা রেট 2133 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to +85 C -40C to +95C
প্যাকেজ 78-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Refresh Cycles 8192 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes Yes
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] —
মেমরি সাইজ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
ইন্টারফেস — Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট