K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $4.10 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| العلبة | 78-FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| الواجهة | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |