K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BIWE tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $4,10 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Paket | 78-FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Arayüz | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |