K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $4.10
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
میموری سائز 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps —
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +85°C 0C to +85C
پیکیج 78-FBGA 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Access Time [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CL value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Refresh Cycles — 8192
Technology — CMOS, 8Gb B-die
Number of Terminals — 78
انٹرفیس — DDR4 SDRAM parallel interface
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں