K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $4.10 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| رابط | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |