K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCPB | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.10 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| العلبة | 96FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (synchronous, double data rate) | Parallel |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| حالة RoHS | Compliant (per Lisleapex listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| جهد التغذية | — | 1.35 V |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |