K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16TW-107 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WB-BCPB MT41K256M16TW-107
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $14.10
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb —
সংগঠন 512M x 16 256M x 16
ডেটা রেট 2133 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +85C 0C to +95C (commercial :P grade)
প্যাকেজ 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (8x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (per Lisleapex listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
মেমরি সাইজ — 4 Gbit
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
Access Time — 20 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.35 V
ডেটা বাস প্রস্থ — 16 bit
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট