K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCPB MT41K256M16TW-107
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.10
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 2133 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +95C (commercial :P grade)
پیکیج 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (8x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Lisleapex listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
میموری سائز — 4 Gbit
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
Access Time — 20 ns
سپلائی وولٹیج — 1.35 V
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں