K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| عدد الدبابيس | — | 96 |