K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Arayüz | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| Paket | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 96 |