K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| پنز کی تعداد | — | 96 |