K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| رابط | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |