K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ממשק | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| מספר פינים | — | 96 |