K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $6.25 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +95C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-die termination (ODT), dynamic |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |