K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| میموری سائز | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +95C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-die termination (ODT), dynamic |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |