K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $6.25 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0C to +95C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-die termination (ODT), dynamic |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |