K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $6.25 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps/pin | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| पैकेज | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +95C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-die termination (ODT), dynamic |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |