K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics و K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| الفئة | EEPROM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $19.69 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| الواجهة | Parallel, 16-bit DDR | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +95 C | 0C to +85C |
| العلبة | 96-FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | B-die |
| Memory Format | DRAM | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |