K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K4A8G165WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Veri Hızı 2400 Mbps 2666 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Arayüz Parallel, 16-bit DDR DDR4 (parallel, double data rate)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C 0C to +85C
Paket 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die B-die
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin