K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics ו K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
מותג Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
קטגוריה EEPROM DRAM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $19.69 —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 8 Gbit —
ארגון 512M x 16 512M x 16
קצב נתונים 2400 Mbps 2666 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
מתח אספקה 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
ממשק Parallel, 16-bit DDR DDR4 (parallel, double data rate)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
טמפרטורת פעולה 0 C to +95 C 0C to +85C
מארז 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (BGA)
תכונות Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die B-die
Memory Format DRAM —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר