K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K4A8G165WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | EEPROM | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $19.69 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, 16-bit DDR | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +95 C | 0C to +85C |
| पैकेज | 96-FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| विशेषताएँ | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | B-die |
| Memory Format | DRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |