K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics و K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
برند Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
دسته‌بندی EEPROM DRAM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $19.69 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
نرخ داده 2400 Mbps 2666 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
ولتاژ تغذیه 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
رابط Parallel, 16-bit DDR DDR4 (parallel, double data rate)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
دمای کاری 0 C to +95 C 0C to +85C
بسته‌بندی 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
ویژگی‌ها Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die B-die
Memory Format DRAM —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت