K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G165WC-BCRC disebabkan oleh Samsung Electro-Mechanics dan K4A8G165WB-BCTD disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
Merek Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM DRAM
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $19.69 —
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 8 Gbit —
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Kadar Data 2400 Mbps 2666 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Antaramuka Parallel, 16-bit DDR DDR4 (parallel, double data rate)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Suhu Operasi 0 C to +95 C 0C to +85C
Kemasan 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount (BGA)
Ciri-ciri Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die B-die
Memory Format DRAM —
Status RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga