K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ EEPROM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 2666 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR DDR4 (parallel, double data rate)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C 0C to +85C
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (BGA)
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die B-die
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں