K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1333 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0 C to +95 C |
| العلبة | 96FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| الواجهة | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Memory Format | — | DRAM |