K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs EEPROM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $19.69
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
সংগঠন 512M x16 512M x 16
ডেটা রেট 2666 Mbps (DDR4-2666) 2400 Mbps
Clock Frequency 1.333 GHz 1333 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C 0 C to +95 C
প্যাকেজ 96FBGA 96-FBGA (TFBGA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Die Generation C-die (1Y nm-class process) C-die
CRC Function Yes (write CRC) —
ZQ Calibration Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
Data Mask Yes (x16 DM) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
ইন্টারফেস — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Memory Format — DRAM

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট