K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $19,69
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x16 512M x 16
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (DDR4-2666) 2400 Mbps
Clock Frequency 1.333 GHz 1333 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C 0 C to +95 C
Hộp 96FBGA 96-FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Die Generation C-die (1Y nm-class process) C-die
CRC Function Yes (write CRC) —
ZQ Calibration Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
Data Mask Yes (x16 DM) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Điện áp cung cấp — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Giao diện — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Memory Format — DRAM

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá