K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $19.69
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps (DDR4-2666) 2400 Mbps
Clock Frequency 1.333 GHz 1333 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C 0 C to +95 C
پیکیج 96FBGA 96-FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Die Generation C-die (1Y nm-class process) C-die
CRC Function Yes (write CRC) —
ZQ Calibration Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
Data Mask Yes (x16 DM) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
میموری سائز — 8 Gbit
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
انٹرفیس — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Memory Format — DRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں