K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $19,69
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organizasyon 512M x16 512M x 16
Veri Hızı 2666 Mbps (DDR4-2666) 2400 Mbps
Clock Frequency 1.333 GHz 1333 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C 0 C to +95 C
Paket 96FBGA 96-FBGA (TFBGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Die Generation C-die (1Y nm-class process) C-die
CRC Function Yes (write CRC) —
ZQ Calibration Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
Data Mask Yes (x16 DM) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Bellek Boyutu — 8 Gbit
Besleme Gerilimi — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Arayüz — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Özellikler — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Memory Format — DRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin