K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ सक्रियSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $19.69 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1333 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0 C to +95 C |
| पैकेज | 96FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Memory Format | — | DRAM |