K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | Memory ICs | EEPROM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $19.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1333 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0 C to +95 C |
| מארז | 96FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| ממשק | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Memory Format | — | DRAM |