K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics و AS4C256M16D3L-12BCN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $14.32 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| عدد الدبابيس | 96 | 96 |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| أقصى تردد للساعة | — | 800 MHz |
| نمط التركيب | — | SMD/SMT |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (Tc) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| نوع الواجهة | — | Parallel |