K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics و AS4C256M16D3L-12BCN توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646E-BYMA AS4C256M16D3L-12BCN
برند Samsung Electronics Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $14.32 —
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
سازمان 256M x 16 256M x 16
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
نرخ داده 1866 Mbps/pin 1600 Mbps
دمای کاری 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
بسته‌بندی FBGA-96 96-FBGA (9x13 mm)
نوع نصب Surface Mount —
RoHS Compliant Compliant
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 20 ns
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] —
تعداد پین‌ها 96 96
اندازه حافظه — 4 Gbit
عرض گذرگاه داده — 16 bit
حداکثر فرکانس کلاک — 800 MHz
سبک نصب — SMD/SMT
محدوده دمای کاری — 0C to +95C (Tc)
بدون هالوژن — Yes
نوع رابط — Parallel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت