K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו AS4C256M16D3L-12BCN מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.32 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| מארז | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| מספר פינים | 96 | 96 |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| תדר שעון מקסימלי | — | 800 MHz |
| סגנון הרכבה | — | SMD/SMT |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C (Tc) |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Parallel |