K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung Electronics ve AS4C256M16D3L-12BCN tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646E-BYMA AS4C256M16D3L-12BCN
Marka Samsung Electronics Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $14,32 —
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
Veri Hızı 1866 Mbps/pin 1600 Mbps
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
Paket FBGA-96 96-FBGA (9x13 mm)
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Compliant Compliant
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] 20 ns
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] —
Pin Sayısı 96 96
Bellek Boyutu — 4 Gbit
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Azami Saat Hızı — 800 MHz
Montaj Stili — SMD/SMT
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0C to +95C (Tc)
Klorürsüz — Yes
Arayüz Türü — Parallel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin